SK Hynix Inc. a posé les premières pierres jeudi d’une usine de 4 milliards de dollars dédiée à l’emballage et aux tests de mémoires haute bande passante (HBM) à West Lafayette, dans l’Indiana. Il s’agit du premier site de production américain du groupe coréen pour des composants mémoire avancés.
L’installation, qui s’étendra sur 133,5 acres, sera soutenue par le Chips and Science Act américain. Elle se concentrera sur l’emballage et les tests de tranches HBM expédiées depuis la Corée du Sud avant livraison aux clients locaux. Les opérations en salle blanche devraient démarrer en octobre 2028, avec une production de masse de HBM de nouvelle génération prévue pour le second semestre 2029.
À pleine capacité, l’usine emploiera environ 1 000 salariés en direct, tout en générant quelque 7 000 emplois supplémentaires via les activités de construction, d’exploitation et les industries connexes. SK Hynix bénéficiera de jusqu’à 458 millions de dollars de financement direct et de jusqu’à 500 millions de dollars de prêts dans le cadre du Chips Act, signé en 2022 par le président Joe Biden.
Ce projet illustre les efforts croissants des États-Unis pour renforcer les chaînes d’approvisionnement en semi-conducteurs, face à la demande croissante en HBM, un composant clé des systèmes d’accélération IA haute performance. SK Hynix, deuxième entreprise la plus valorisée de Corée du Sud après Samsung Electronics, évalue plus de 100 fournisseurs potentiels pour les matériaux, composants et équipements. Les HBM du groupe sont un intrant essentiel pour les puces IA avancées de Nvidia Corp.
Lors de la cérémonie de pose de la première pierre, Kwak Noh-Jung, PDG de SK Hynix, a souligné l’engagement du groupe à étendre ses investissements et partenariats aux États-Unis, affirmant que cette usine permettrait de positionner SK Hynix comme un partenaire de confiance dans l’avenir de l’IA en Amérique.
