GlobalFoundries et RAAAM Memory Technologies ont annoncé la finalisation du processus de mise en production d'un véhicule de test de la mémoire Gain-Cell (GCRAM) sur la plateforme FD-SOI de GlobalFoundries. Ce jalon marque un progrès dans le développement de solutions de mémoire à l'întérieur des puces avec une surface réduite et une consommation d'énergie moindre par rapport à la SRAM traditionnelle.
La technologie GCRAM permet de réduire de 40 % la surface de mémoire et de diminuer la consommation d'énergie de 60 %, par rapport à la SRAM, selon les entreprises. Le véhicule de test a été co-conçu avec des règles de conception modifiées sur la plate-forme FDX FD-SOI de GlobalFoundries, en tirant parti des capacités de production du constructeur.
NXP Semiconductors évalue la solution GCRAM en vue de son intégration potentielle dans ses produits. Ce partenariat vise à offrir aux clients un accès au design de la technologie GCRAM à compter du début de l'année 2027.
Robert Giterman, président-directeur général et co-fondateur de RAAAM Memory Technologies, a déclaré que ce livraison en bande démontre la synergie entre les innovations en matière de mémoire de RAAAM et la plateforme de fabrication de GlobalFoundries. Sudipto Bose, vice-président de la gestion des produits FD-SOI chez GlobalFoundries, a mis en avant la faisabilité de cette solution pour l'AI et d'autres applications à haute performance.
Les actions de GlobalFoundries ont fini la séance à 43,93 $, en baisse de 1,70 %, avant que les échanges après-bourse ne montrent une progression à 44,19 $, en hausse de 0,59 %.
