ChangXin Memory Technologies (CXMT) a commencé la production en lots de faibles volumes de puces de mémoire à haute bande passante (HBM) en suivant le standard HBM3E, selon des rapports de l'industrie. Cette démarche positionne l'entreprise comme la première entreprise chinoise à produire cette technologie de mémoire de pointe, même si elle reste à une génération derrière les leaders mondiaux SK Hynix, Samsung Electronics et Micron Technology.
Créée en 2016 avec le soutien des gouvernements locaux, CXMT est le quatrième plus grand fabricant de DRAM à normes de Chine. Son silicium HBM3E est actuellement en cours de tests d'intégration avec des concepteurs de puces locaux, notamment l'unité T-Head du groupe Alibaba et Cambricon Technologies. Le déploiement commercial est prévu dès 2025, avec une disponibilité plus large visée pour 2027.
L’entreprise fait face à de graves problèmes opérationnels, notamment des taux de fabrication faibles, un accès limité aux équipements de fabrication avancés et des sanctions commerciales occidentales qui limitent l’acquisition d’outils semi-conducteurs de pointe. Ces contraintes ne l’ont pas empêché de connaître une croissance financière rapide, appuyée par une offre publique initiale de premier niveau à Shanghai en février.
CXMT a levé 8,6 milliards de dollars dans le cadre de son introduction en Bourse, dont les ressources sont destinées aux investissements en capital et au développement technologique. Les actions ont pris 472 % lors de leur première journée de cotation. Les revenus au premier semestre ont atteint 150,3 milliards de yuans (22,3 milliards de dollars), près de dix fois la valeur trimestrielle de l'année précédente, tandis que le bénéfice net s'est élevé à 77,6 milliards de yuans (11,5 milliards de dollars), en inversion par rapport à la perte enregistrée un an plus tôt.
Le rapport, initialement publié par The Information, met en évidence la volonté de la Chine de parvenir à l'autosufficience en matière de production de semi-conducteurs dans un contexte de contraintes géopolitiques et technologiques en cours.
