ChangXin Memory Technologies (CXMT) ha iniciado la producción en lotes pequeños de chips de memoria de alta banda (HBM) basados en el estándar HBM3E, según informes de la industria. Esta acción posiciona a la empresa como la primera compañía china en fabricar esta tecnología de memoria avanzada, aunque sigue una generación por detrás de los líderes mundiales SK Hynix, Samsung Electronics y Micron Technology.
CXMT, fundada en 2016 con el apoyo de los gobiernos locales, es el cuarto mayor fabricante de DRAM estándar de China. Su silicio HBM3E está actualmente sufriendo pruebas de integración con diseñadores de chips nacionales, incluidos la unidad T-Head de Alibaba Group y Cambricon Technologies. El despliegue comercial se prevé para 2025 como máximo, y la disponibilidad más amplia está prevista para 2027.
La empresa enfrenta importantes desafíos operativos, entre los que se incluyen un bajo rendimiento de fabricación, un acceso limitado a equipos de fabricación avanzados y las sanciones comerciales occidentales que limitan la adquisición de herramientas semiconductores de vanguardia. Estos límites no han impedido el rápido crecimiento financiero de CXMT, impulsado por la histórica oferta pública inicial en Shanghái en febrero.
CXMT recaudó 8,6 billones de dólares en su oferta pública inicial, cuyos ingresos se destinan a gastos de capital y desarrollo tecnológico. Las acciones subieron un 472 % en su debut en bolsa. Los ingresos del primer semestre alcanzaron 150,3 billones de yuanes (22,3 billones de dólares), cerca de diez veces más que el año anterior, mientras que los beneficios netos ascendieron a 77,6 billones de yuanes (11,5 billones de dólares), revertiendo las pérdidas registradas un año antes.
El informe, originalmente publicado por The Information, pone de manifiesto el esfuerzo de China por lograr la autosuficiencia en la producción de semiconductores en medio de las actuales restricciones geopolíticas y tecnológicas.
