GlobalFoundries und RAAAM Memory Technologies haben die Fertigstellung eines Tests für ein Gain-Cell-RAM (GCRAM) auf der GlobalFoundries-FD-SOI-Plattform bekanntgegeben. Der Meilenstein bedeutet einen Fortschritt bei der Entwicklung in-den-Chip-Speichersysteme mit begrenzter Fläche und geringem Stromverbrauch im Vergleich zu traditionellem SRAM.
Nach Angaben der Unternehmen ermöglicht die GCRAM-Technologie eine Reduktion des Speicherbereichs um 40 % und eine bis zu 60 % geringere Stromverbrauchsintensität im Vergleich zu SRAM. Das Testfahrzeug wurde gemeinsam mit modifizierten Designregeln auf der GlobalFoundries-FDX FD-SOI-Plattform entwickelt, die die Produktionsmöglichkeiten des Herstellers nutzen.
NXP Semiconductors untersucht die GCRAM-Lösung im Hinblick auf eine mögliche Einbindung in seine Produkte. Ziel der Partnerschaft ist es, Kunden ab Anfang 2027 Designzugang zur GCRAM-Technologie zu ermöglichen.
Robert Giterman, CEO und Mitbegründer von RAAAM Memory Technologies, sagte, dass die Vorproduktion die Synergie zwischen den Speicherinnovationen von RAAAM und der Fertigungsplattform von GlobalFoundries demonstriert. Sudipto Bose, Vice President des FD-SOI-Produktmanagements bei GlobalFoundries, unterstrich die Einsatzmöglichkeit der Lösung für KI und andere hochleistungsfähige Anwendungen.
Die Aktien von GlobalFoundries schlossen bei 43,93 US-Dollar, ein Minus von 1,70 %, bevor nach Handelsschluss ein Gewinn auf 44,19 US-Dollar, ein Plus von 0,59 %, verzeichnet wurde.
