GlobalFoundries y RAAAM Memory Technologies anunciaron la finalización de la grabación de un vehículo de prueba de memoria RAM de Gain-Cell (GCRAM) en la plataforma FD-SOI de GlobalFoundries. Este hito supone un avance en el desarrollo de soluciones de memoria en chip con un consumo de área y energía reducidos en comparación con la SRAM tradicional.
La tecnología GCRAM permitirá reducir en un 40% el área de memoria y disminuir en hasta un 60% el consumo de energía en comparación con la SRAM, según las compañías. El vehículo de pruebas fue diseñado conjuntamente con normas de diseño modificadas en la plataforma FDX FD-SOI de GlobalFoundries, aprovechando las capacidades de fabricación del fabricante.
NXP Semiconductors está evaluando la solución GCRAM con el objetivo de integrarla potencialmente en sus productos. La asociación tiene como objetivo proporcionar a los clientes acceso al diseño de la tecnología GCRAM a partir de principios de 2027.
Robert Giterman, director ejecutivo y cofundador de RAAAM Memory Technologies, indicó que el ensamblado muestra la sinergia entre las innovaciones de memoria de RAAAM y la plataforma de fabricación de GlobalFoundries. Sudipto Bose, vicepresidente de gestión de productos FD-SOI en GlobalFoundries, subrayó la aplicabilidad de la solución para la IA y otras aplicaciones de alto rendimiento.
Las acciones de GlobalFoundries cerraron a 43,93 dólares, un 1,70% menos, antes de que la negociación fuera de horario mostrase un aumento a 44,19 dólares, un 0,59%.
