ChangXin Memory Technologies (CXMT) hat die Kleinserienproduktion von Speicherchips mit hoher Bandbreite (HBM) nach dem Standard HBM3E begonnen, wie aus Branchenberichten hervorgeht. Mit dieser Massnahme positioniert sich das Unternehmen als erster chinesischer Hersteller der modernen Speichertechnologie, bleibt jedoch eine Generation hinter den führenden Herstellern SK Hynix, Samsung Electronics und Micron Technology zurück.
CXMT wurde 2016 mit Unterstützung von lokalen Regierungen gegründet und ist Chinas fünftgrösster Standard-DRAM-Hersteller. Der HBM3E-Silicon wird derzeit Integrationstests mit heimischen Chip-Designern durchlaufen, darunter der T-Head-Einheit der Alibaba Group und Cambricon Technologies. Eine kommerzielle Umsetzung ist bereits für das Jahr 2025 geplant, wobei eine breitere Verfügbarkeit für 2027 angestrebt wird.
Das Unternehmen steht vor erheblichen operativen Herausforderungen, darunter niedrige Fertigungseffizienzen, eingeschränkter Zugang zu modernen Fertigungsanlagen und westliche Handelsembargos, die den Kauf von modernem Halbleiterspezialwerkzeug einschränken. Diese Einschränkungen haben die rasche finanzielle Entwicklung von CXMT nicht eingetrübt, die durch eine bedeutende Börsennote am 14. Februar in Shanghai angetrieben wurde.
CXMT konnte bei seinem IPO 8,6 Milliarden US-Dollar einbringen, die für Kapitaleinrichtungen und Technologieforschungsprojekte verwendet werden. Die Aktien stiegen bei ihrem ersten Handelstag um 472 %. Im ersten Halbjahr belief sich der Umsatz auf 150,3 Milliarden Yuan (22,3 Milliarden US-Dollar), was einem fast zehngfachen Zuwachs gegenüber dem Vorjahr entspricht, während der Nettoertrag 77,6 Milliarden Yuan (11,5 Milliarden US-Dollar) erreichte und damit das Verlust im Vorjahr aufwänd.
Der Bericht, der ursprünglich von The Information stammt, betont Chinas Bestrebungen, sich bei der Halbleiterproduktion auf eigene Kraft zu verlassen, angesichts der weiterhin bestehenden geopolitischen und technologischen Einschränkungen.
