SK Hynix Inc. inició el jueves la construcción de una planta de empaquetado y prueba de memorias de alta velocidad (HBM) por valor de 4.000 millones de dólares en West Lafayette, Indiana, lo que supone el primer centro de producción de componentes avanzados de memoria del gigante surcoreano en territorio estadounidense.
La instalación, que ocupará 133,5 acres, se beneficiará del Chips and Science Act de EE.UU. y se centrará en el empaquetado y prueba de obleas HBM procedentes de Corea del Sur antes de su distribución a clientes locales. Las operaciones en sala limpia están previstas para octubre de 2028, mientras que la producción masiva de HBM de próxima generación comenzará en el segundo semestre de 2029.
Cuando esté plenamente operativa, se espera que la planta emplee directamente a unas 1.000 personas, además de generar alrededor de 7.000 empleos adicionales en construcción, operaciones y sectores auxiliares. SK Hynix recibirá hasta 458 millones de dólares en financiación directa y hasta 500 millones en préstamos en el marco del Chips Act, ley firmada por el presidente Joe Biden en 2022.
El proyecto refleja los esfuerzos de EE.UU. por reforzar las cadenas de suministro de semiconductores ante la creciente demanda de HBM, un componente clave en los sistemas de aceleración de IA de alto rendimiento. SK Hynix, segunda empresa más valiosa de Corea del Sur tras Samsung Electronics, está evaluando a más de 100 proveedores potenciales para materiales, componentes y equipos. Las memorias HBM de la compañía son un insumo esencial para los chips avanzados de IA de Nvidia Corp.
En la ceremonia de inicio de obras, el consejero delegado de SK Hynix, Kwak Noh-Jung, destacó el compromiso de la empresa con la expansión de inversiones y alianzas en EE.UU., subrayando que la planta ayudará a posicionar a la compañía como socio de confianza en la configuración del futuro de la IA en el país.
